CGD（Cambridge GaN Devices）成立于2016年，源自剑桥大学电力电子研究团队，专注于氮化镓功率器件的商业化。公司以ICeGaN技术为核心，将驱动、保护与传感功能单片集成于GaN HEMT，显著降低系统复杂度并提升可靠性。其产品覆盖消费电子快充、数据中心电源、汽车OBC及工业电源等领域，凭借高频高效特性助力客户实现高功率密度设计。CGD采用Fabless模式，与代工厂深度合作确保供应链弹性，并持续推进车规级认证。作为GaN功率器件领域的创新者，CGD致力于通过集成化方案降低应用门槛，推动宽禁带半导体在电源市场的普及。如需了解更多产品信息，可访问CGD代理获取技术支持。公司依托剑桥大学技术积淀，拥有常关型GaN HEMT核心专利，产品在开关频率与损耗控制上表现优异，为电源设计提供紧凑高效的解决方案。